2016 est l’une des années les plus importantes pour les développements techniques, ou plutôt
Pour les progrès techniques, notre sujet d’aujourd’hui concerne un élément très important de l’ordinateur et la manière dont
Conçu par de nombreux experts dit qu'il est impossible à mettre en œuvre, mais Intel
Ou comme je l’appelle la "Société Impossible" a développé cette mémoire et l’a nommée 3D
XPoint, mais quoi de neuf? Laissez-moi vous connaître et comparez-les à vous
D’autres souvenirs parce que nous sommes dans le monde de l’informatique s’efforcent toujours d’être nos disciples sur
Connaissance et connaissance de tous les développements intervenant dans le monde.
Pour les progrès techniques, notre sujet d’aujourd’hui concerne un élément très important de l’ordinateur et la manière dont
Conçu par de nombreux experts dit qu'il est impossible à mettre en œuvre, mais Intel
Ou comme je l’appelle la "Société Impossible" a développé cette mémoire et l’a nommée 3D
XPoint, mais quoi de neuf? Laissez-moi vous connaître et comparez-les à vous
D’autres souvenirs parce que nous sommes dans le monde de l’informatique s’efforcent toujours d’être nos disciples sur
Connaissance et connaissance de tous les développements intervenant dans le monde.
Qu'y a-t-il d'étrange dans cette mémoire? Et si votre vitesse de mémoire est beaucoup plus rapide que
Nous le connaissons aujourd'hui? Vous pouvez certainement libérer votre processeur central et ne
Vous avez un dernier temps d'attente, car les spécifications de mémoire que nous recherchons sont connues
Il doit être rapide, économique et non électrique pour que vos données ne soient pas perdues.
Déconnexion de la puissance de l'ordinateur, comparaison des types de mémoires dans
Cette fois-ci et en tant qu’opinion personnelle, la mémoire DRAM est définitivement la meilleure, c’est très rapide à notre époque.
Mais il est considéré comme cher, qui est électrique, qui perd son information quand il est interrompu
Le courant n'est pas développé ou plutôt multiplié seulement tous les deux ans une fois
Juste donc c'est en fait une impasse maintenant.
Nous le connaissons aujourd'hui? Vous pouvez certainement libérer votre processeur central et ne
Vous avez un dernier temps d'attente, car les spécifications de mémoire que nous recherchons sont connues
Il doit être rapide, économique et non électrique pour que vos données ne soient pas perdues.
Déconnexion de la puissance de l'ordinateur, comparaison des types de mémoires dans
Cette fois-ci et en tant qu’opinion personnelle, la mémoire DRAM est définitivement la meilleure, c’est très rapide à notre époque.
Mais il est considéré comme cher, qui est électrique, qui perd son information quand il est interrompu
Le courant n'est pas développé ou plutôt multiplié seulement tous les deux ans une fois
Juste donc c'est en fait une impasse maintenant.
Face aux dernières mémoires NAND présentes dans le SSD en ce moment ne sont pas chères
Il est également rapide par rapport aux autres périphériques de stockage, car il est plus rapide.
B représente le nombre de fois 1300 du disque dur, mais il est plus lent que le fois 1500 de la mémoire DRAM
Aussi considéré comme une option indésirable quand beaucoup, comme je l'ai dit précédemment, l'objectif est d'obtenir
La mémoire est bon marché, rapide et surtout non électrique et c'est ce que j'ai trouvé
Intel Corporation C'est ce qui sera lancé dans l'année 2016, qui est la mémoire 3D XPoint.
Il est également rapide par rapport aux autres périphériques de stockage, car il est plus rapide.
B représente le nombre de fois 1300 du disque dur, mais il est plus lent que le fois 1500 de la mémoire DRAM
Aussi considéré comme une option indésirable quand beaucoup, comme je l'ai dit précédemment, l'objectif est d'obtenir
La mémoire est bon marché, rapide et surtout non électrique et c'est ce que j'ai trouvé
Intel Corporation C'est ce qui sera lancé dans l'année 2016, qui est la mémoire 3D XPoint.
Étrangement dans cette méthode de mémoire est construit où les cellules de mémoire sont positionnées au-dessus des tiges
(Les matériaux utilisés dans sa fabrication ne sont pas encore annoncés) et il y a plusieurs rangées de
Mémoires et bâtonnets empilés les uns sur les autres permettant à chaque cellule mémoire d'être étiquetée
Séparément, chaque cellule de mémoire possède un dispositif de sélection et, lorsqu'elle est connectée à
Certains à travers ces barreaux ou plutôt microsphères deviennent ainsi possibles
Choisissez n'importe quelle cellule de mémoire en choisissant un fil par le haut et un fil par le bas car ce n'est pas
Electric ne contient pas de transistors comme dans les mémoires DRAM afin de pouvoir
Choisissez et écrivez la valeur sur n’importe quelle cellule de mémoire en envoyant une impulsion sur les fils et
Cellule étiquetée individuellement Il suffit d’envoyer une impulsion à un fil du haut et à un fil de
Bas pour sélectionner la cellule et écrire dessus éliminant le besoin d'un transistor
En raison de sa conception de pile les uns sur les autres et l'absence de transistors, il est devenu possible de mettre
Dix fois plus d'espace de stockage que la DRAM ou plus clairement, nous pouvons mettre des cellules
Une valeur de mémoire de 10GB est le même espace que 1GB peut placer dans une DRAM qui réduit
Le coût est également lorsque la commande est exécutée ici, montrant la puissance de 3Dxpoint dans le temps
Retard (Vous pouvez lire la rubrique RAM sur notre site Web pour en savoir plus sur le temps
Retard) où le temps de retard dans les mémoires NAND est mesuré par 10 et atteint jusqu'à
Mémoires 3Dxpint en nanos 10 Ceci résume que de nouvelles mémoires sont fournies
Dix fois plus de données que la NAND est également étrange que les cellules de mémoire ne disposent pas
La durée de vie d’une session d’écriture peut durer toute une vie sans la peur et l’angoisse de la renverser.
(Les matériaux utilisés dans sa fabrication ne sont pas encore annoncés) et il y a plusieurs rangées de
Mémoires et bâtonnets empilés les uns sur les autres permettant à chaque cellule mémoire d'être étiquetée
Séparément, chaque cellule de mémoire possède un dispositif de sélection et, lorsqu'elle est connectée à
Certains à travers ces barreaux ou plutôt microsphères deviennent ainsi possibles
Choisissez n'importe quelle cellule de mémoire en choisissant un fil par le haut et un fil par le bas car ce n'est pas
Electric ne contient pas de transistors comme dans les mémoires DRAM afin de pouvoir
Choisissez et écrivez la valeur sur n’importe quelle cellule de mémoire en envoyant une impulsion sur les fils et
Cellule étiquetée individuellement Il suffit d’envoyer une impulsion à un fil du haut et à un fil de
Bas pour sélectionner la cellule et écrire dessus éliminant le besoin d'un transistor
En raison de sa conception de pile les uns sur les autres et l'absence de transistors, il est devenu possible de mettre
Dix fois plus d'espace de stockage que la DRAM ou plus clairement, nous pouvons mettre des cellules
Une valeur de mémoire de 10GB est le même espace que 1GB peut placer dans une DRAM qui réduit
Le coût est également lorsque la commande est exécutée ici, montrant la puissance de 3Dxpoint dans le temps
Retard (Vous pouvez lire la rubrique RAM sur notre site Web pour en savoir plus sur le temps
Retard) où le temps de retard dans les mémoires NAND est mesuré par 10 et atteint jusqu'à
Mémoires 3Dxpint en nanos 10 Ceci résume que de nouvelles mémoires sont fournies
Dix fois plus de données que la NAND est également étrange que les cellules de mémoire ne disposent pas
La durée de vie d’une session d’écriture peut durer toute une vie sans la peur et l’angoisse de la renverser.
3D XPoint Memory a un grand avenir pour son opinion personnelle et va révolutionner le numérique une fois lancé, partagez-vous votre opinion?
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Ce fut notre sujet pour la journée si vous faites face à un problème, vous pouvez laisser dans le commentaire ci-dessous à une autre réunion, si Dieu le veut ^ _ ^
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