El año 2016 es considerado uno de los años más importantes para el desarrollo técnico, o más bien
Para los avances técnicos, nuestro tema de hoy es sobre un componente muy importante de la computadora y el método.
Diseñado por muchos expertos dijo que es imposible de implementar, pero Intel
O, como yo lo llamo, “The Impossible Company” desarrolló este recuerdo y lo llamó 3D
XPoint, pero ¿qué tiene de nuevo? Te lo presento y te lo comparo con otros tipos
Otros recuerdos Porque en el mundo de la informática siempre nos esforzamos por ser nuestros seguidores en
Conocimiento y familiaridad con todos los desarrollos que tienen lugar en el mundo.
Para los avances técnicos, nuestro tema de hoy es sobre un componente muy importante de la computadora y el método.
Diseñado por muchos expertos dijo que es imposible de implementar, pero Intel
O, como yo lo llamo, “The Impossible Company” desarrolló este recuerdo y lo llamó 3D
XPoint, pero ¿qué tiene de nuevo? Te lo presento y te lo comparo con otros tipos
Otros recuerdos Porque en el mundo de la informática siempre nos esforzamos por ser nuestros seguidores en
Conocimiento y familiaridad con todos los desarrollos que tienen lugar en el mundo.
¿Qué tiene de extraño este recuerdo? ¿Qué sucede si la velocidad de su memoria es mucho más rápida de lo que
¿Lo conocemos hoy en día? Definitivamente puedes desatar tu procesador central y no lo harás.
Tienes un tiempo de espera final, ya que se conoce la especificación de memoria que buscamos
Tiene que ser rápido, económico y no eléctrico para que sus datos no se desperdicien.
Cortes de energía de la computadora, una comparación de los tipos de memorias que se encuentran en
Esta vez y en mi opinión personal, DRAM es definitivamente el mejor ahora porque es muy rápido en nuestro tiempo.
Este, pero se considera algo caro, y es eléctrico, lo que quiere decir que pierde su información cuando se corta
La corriente va de eso y no se desarrolla, o mejor dicho solo se duplica una vez cada dos años
Sólo por lo que es en realidad un callejón sin salida ahora.
¿Lo conocemos hoy en día? Definitivamente puedes desatar tu procesador central y no lo harás.
Tienes un tiempo de espera final, ya que se conoce la especificación de memoria que buscamos
Tiene que ser rápido, económico y no eléctrico para que sus datos no se desperdicien.
Cortes de energía de la computadora, una comparación de los tipos de memorias que se encuentran en
Esta vez y en mi opinión personal, DRAM es definitivamente el mejor ahora porque es muy rápido en nuestro tiempo.
Este, pero se considera algo caro, y es eléctrico, lo que quiere decir que pierde su información cuando se corta
La corriente va de eso y no se desarrolla, o mejor dicho solo se duplica una vez cada dos años
Sólo por lo que es en realidad un callejón sin salida ahora.
Por otro lado, las memorias NAND en SSDs de momento no son caras
No es eléctrico y también es rápido en comparación con otros dispositivos de almacenamiento, ya que es más rápido
1300 veces más rápido que un disco duro pero 1500 veces más lento que DRAM
También es una opción indeseable para muchos, como dije antes, el objetivo es conseguir
En una memoria barata, rápida y, lo más importante, no eléctrica, y eso es lo que se me ocurrió.
Intel Corporation y esto es lo que se lanzará en 2016, que es la memoria 3D XPoint.
No es eléctrico y también es rápido en comparación con otros dispositivos de almacenamiento, ya que es más rápido
1300 veces más rápido que un disco duro pero 1500 veces más lento que DRAM
También es una opción indeseable para muchos, como dije antes, el objetivo es conseguir
En una memoria barata, rápida y, lo más importante, no eléctrica, y eso es lo que se me ocurrió.
Intel Corporation y esto es lo que se lanzará en 2016, que es la memoria 3D XPoint.
Lo extraño de esta memoria es la forma en que está construida, donde las celdas de memoria se colocan encima de las varillas.
(Aún no se han anunciado los materiales utilizados en su fabricación) y hay varias filas de
Memorias y barras apiladas una encima de la otra, lo que permite direccionar cada celda de memoria
Por separado y por sí sola, cada celda de memoria se coloca sobre cada dispositivo selector y cuando se conecta con
Algunos de ellos son a través de estas varillas, o más bien alambres microscópicos, y así se puede
Elija cualquier celda de memoria eligiendo un cable de la parte superior y un cable de la parte inferior y porque no es
La electricidad no contiene transistores, como es el caso de DRAM, por lo que puede
Elija y escriba el valor en cualquier celda de memoria enviando un pulso a través de los cables y porque cada
Una celda direccionable individualmente, es suficiente enviar un pulso a un cable desde arriba y un cable desde
La parte inferior es para elegir la celda y escribir en ella, lo que elimina la necesidad de la presencia del transistor.
Por su diseño apilado y la ausencia de transistores, es posible colocar
Diez veces más espacio de almacenamiento que DRAM, o más claramente, ahora podemos poner celdas
10 GB de memoria en el mismo espacio que 1 GB de DRAM pueden reducir
El costo también y cuando se trata de rendimiento, aquí es donde el poder de 3Dxpoint se muestra en el tiempo.
Retraso (puede leer el tema de RAM en nuestro sitio web para obtener más información sobre el tiempo de
retardo), donde el tiempo de retardo en las memorias NAND se mide en 10 microsegundos y alcanza en
Memorias 3Dxpint a 10 nanosegundos, y esto resume que se presentan las nuevas memorias
Los datos son diez veces más que NAND También es extraño que las celdas de memoria no tengan
Toda una vida de ciclos de escritura que pueden durar toda la vida sin el miedo y la preocupación de que salgan mal.
(Aún no se han anunciado los materiales utilizados en su fabricación) y hay varias filas de
Memorias y barras apiladas una encima de la otra, lo que permite direccionar cada celda de memoria
Por separado y por sí sola, cada celda de memoria se coloca sobre cada dispositivo selector y cuando se conecta con
Algunos de ellos son a través de estas varillas, o más bien alambres microscópicos, y así se puede
Elija cualquier celda de memoria eligiendo un cable de la parte superior y un cable de la parte inferior y porque no es
La electricidad no contiene transistores, como es el caso de DRAM, por lo que puede
Elija y escriba el valor en cualquier celda de memoria enviando un pulso a través de los cables y porque cada
Una celda direccionable individualmente, es suficiente enviar un pulso a un cable desde arriba y un cable desde
La parte inferior es para elegir la celda y escribir en ella, lo que elimina la necesidad de la presencia del transistor.
Por su diseño apilado y la ausencia de transistores, es posible colocar
Diez veces más espacio de almacenamiento que DRAM, o más claramente, ahora podemos poner celdas
10 GB de memoria en el mismo espacio que 1 GB de DRAM pueden reducir
El costo también y cuando se trata de rendimiento, aquí es donde el poder de 3Dxpoint se muestra en el tiempo.
Retraso (puede leer el tema de RAM en nuestro sitio web para obtener más información sobre el tiempo de
retardo), donde el tiempo de retardo en las memorias NAND se mide en 10 microsegundos y alcanza en
Memorias 3Dxpint a 10 nanosegundos, y esto resume que se presentan las nuevas memorias
Los datos son diez veces más que NAND También es extraño que las celdas de memoria no tengan
Toda una vida de ciclos de escritura que pueden durar toda la vida sin el miedo y la preocupación de que salgan mal.
3D XPoint es una memoria que tiene mucho futuro en mi opinión personal, y revolucionará digitalmente cuando se lance, ¿compartes tu opinión?
.^_^.
Este fue nuestro tema de hoy. Si encuentra algún problema, puede dejarlo en el comentario a continuación hasta otra reunión, si Dios quiere ^_^
Nota: Puedes comentar fácilmente sin tener que iniciar sesión en tu cuenta de Google, solo tienes que usar el identificador anónimo en las opciones ^_^.
